10AX066H3F34E2SG 100% nieuwe en originele isolatieversterker 1 circuit differentieel 8-SOP
Productkenmerken
| EU RoHS | Meewerkend |
| ECCN (VS) | 3A001.a.7.b |
| Onderdeelstatus | Actief |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Automobiel | No |
| PPAP | No |
| Achternaam | Arria® 10 GX |
| Procestechnologie | 20 nm |
| Gebruikers-I/O's | 492 |
| Aantal registers | 1002160 |
| Bedrijfsvoedingsspanning (V) | 0,9 |
| Logische elementen | 660000 |
| Aantal vermenigvuldigers | 3356 (18x19) |
| Programmageheugentype | SRAM |
| Ingebed geheugen (Kbit) | 42660 |
| Totaal aantal blok-RAM | 2133 |
| Apparaatlogische eenheden | 660000 |
| Apparaat Aantal DLL's/PLL's | 16 |
| Zendontvangerkanalen | 24 |
| Zendontvangersnelheid (Gbps) | 17.4 |
| Toegewijde DSP | 1678 |
| PCIe | 2 |
| Programmeerbaarheid | Ja |
| Ondersteuning voor herprogrammeerbaarheid | Ja |
| Kopieerbeveiliging | Ja |
| Programmeerbaarheid in het systeem | Ja |
| Snelheidsklasse | 3 |
| Single-Ended I/O-standaarden | LVTTL|LVCMOS |
| Externe geheugeninterface | DDR3 SDRAM|DDR4|LPDDR3|RLDRAM II|RLDRAM III|QDRII+SRAM |
| Minimale bedrijfsvoedingsspanning (V) | 0,87 |
| Maximale bedrijfsvoedingsspanning (V) | 0,93 |
| I/O-spanning (V) | 1,2|1,25|1,35|1,5|1,8|2,5|3 |
| Minimale bedrijfstemperatuur (°C) | 0 |
| Maximale bedrijfstemperatuur (°C) | 100 |
| Leverancier temperatuurklasse | Verlengd |
| Handelsnaam | Arria |
| Montage | Opbouwmontage |
| Pakket Hoogte | 2.63 |
| Pakketbreedte | 35 |
| Pakketlengte | 35 |
| PCB gewijzigd | 1152 |
| Standaardpakketnaam | BGA |
| Leverancierspakket | FC-FBGA |
| Pintelling | 1152 |
| Loodvorm | Bal |
Geïntegreerd circuittype
Vergeleken met elektronen hebben fotonen geen statische massa, zwakke interactie, sterk anti-interferentievermogen en zijn ze geschikter voor informatieoverdracht.Er wordt verwacht dat optische interconnectie de kerntechnologie zal worden om de stroomverbruikmuur, de opslagmuur en de communicatiemuur te doorbreken.Lichtbron-, koppelaar-, modulator- en golfgeleiderapparaten zijn geïntegreerd in de optische kenmerken met hoge dichtheid, zoals een foto-elektrisch geïntegreerd microsysteem, kunnen kwaliteit, volume en energieverbruik realiseren van foto-elektrische integratie met hoge dichtheid, foto-elektrisch integratieplatform inclusief III - V samengestelde halfgeleider monolithisch geïntegreerd (INP ) passief integratieplatform, silicaat- of glasplatform (vlakke optische golfgeleider, PLC) en op silicium gebaseerd platform.
Het InP-platform wordt voornamelijk gebruikt voor de productie van laser-, modulator-, detector- en andere actieve apparaten, laag technologieniveau, hoge substraatkosten;Gebruik van een PLC-platform om passieve componenten te produceren, met weinig verlies, groot volume;Het grootste probleem met beide platforms is dat de materialen niet compatibel zijn met op silicium gebaseerde elektronica.Het meest opvallende voordeel van op silicium gebaseerde fotonische integratie is dat het proces compatibel is met het CMOS-proces en dat de productiekosten laag zijn. Daarom wordt het beschouwd als het meest potentiële opto-elektronische en zelfs volledig optische integratieschema.
Er zijn twee integratiemethoden voor op silicium gebaseerde fotonische apparaten en CMOS-circuits.
Het voordeel van de eerste is dat de fotonische apparaten en elektronische apparaten afzonderlijk kunnen worden geoptimaliseerd, maar de daaropvolgende verpakking is moeilijk en commerciële toepassingen zijn beperkt.Dit laatste is moeilijk te ontwerpen en de integratie van de twee apparaten te verwerken.Op dit moment is hybride assemblage op basis van nucleaire deeltjesintegratie de beste keuze
-
Elektronische componenten Circuit Bomlijst Mcu TLC7...
-
Adum121n1brz ADUM121N1BRZ BOM Leverancier Integrat...
-
TO-252 IPD33CN10NG met hoogwaardige chiptrans...
-
Origineel Nieuw Op Voorraad MOSFET Transistor Diode T...
-
Elektronische componenten IC-chips Geïntegreerde circu...
-
Geïntegreerde schakeling IC-chips één plek kopen EPM240...