order_bg

producten

Merrill-chip Nieuw en origineel op voorraad elektronische componenten geïntegreerd circuit IC IRFB4110PBF

korte beschrijving:


Product detail

Productlabels

Productkenmerken

TYPE BESCHRIJVING
Categorie Discrete halfgeleiderproducten

Transistoren – FET’s, MOSFET’s – Enkelvoudig

Mfr Infineon-technologieën
Serie HEXFET®
Pakket Buis
product status Actief
FET-type N-kanaal
Technologie MOSFET (metaaloxide)
Afvoer naar bronspanning (Vdss) 100 V
Stroom – Continue afvoer (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan) 10V
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs 4,5 mOhm bij 75 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250 µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Vgs (max.) ±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds 9620 pF @ 50 V
FET-functie -
Vermogensdissipatie (max.) 370W (Tc)
Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type Door gat
Apparaatpakket van leverancier TO-220AB
Pakket / doos TO-220-3
Basisproductnummer IRFB4110

Documenten en media

BRONTYPE KOPPELING
Datasheets IRFB4110PbF
Andere gerelateerde documenten IR-onderdeelnummeringssysteem
Producttrainingsmodules Hoogspanningsgeïntegreerde circuits (HVIC-poortdrivers)
Het uitgelichte product Robotica en automatisch geleide voertuigen (AGV)

Gegevensverwerkingssystemen

HTML-gegevensblad IRFB4110PbF
EDA-modellen IRFB4110PBF van SnapEDA
Simulatiemodellen IRFB4110PBF Sabelmodel

Milieu- en exportclassificaties

ATTRIBUUT BESCHRIJVING
RoHS-status ROHS3-compatibel
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status BEREIK Onaangetast
ECCN OOR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende bronnen

ATTRIBUUT BESCHRIJVING
Andere namen 64-0076PBF-ND

64-0076PBF

SP001570598

Standaard pakketje 50

De Strong IRFET™ power MOSFET-familie is geoptimaliseerd voor lage RDS(aan) en hoge stroomcapaciteit.De apparaten zijn ideaal voor laagfrequente toepassingen die prestaties en robuustheid vereisen.Het uitgebreide portfolio richt zich op een breed scala aan toepassingen, waaronder DC-motoren, batterijbeheersystemen, omvormers en DC-DC-converters.

Samenvatting van functies
Industriestandaard powerpakket met doorgaand gat
Hoge stroomsterkte
Productkwalificatie volgens JEDEC-standaard
Silicium geoptimaliseerd voor toepassingen die schakelen onder <100 kHz
Zachtere lichaamsdiode vergeleken met eerdere siliciumgeneratie
Brede portfolio beschikbaar

Voordelen
Standaard pin-out maakt drop-in vervanging mogelijk
Pakket voor hoge stroomsterkte
Industriestandaard kwalificatieniveau
Hoge prestaties bij laagfrequente toepassingen
Verhoogde vermogensdichtheid
Biedt ontwerpers flexibiliteit bij het selecteren van het meest optimale apparaat voor hun toepassing

Para-metrieken

Parametrie IRFB4110
Budgetprijs €/1k 1,99
ID (@25°C) max 180 A
Montage THT
Bedrijfstemperatuur min max -55 °C 175 °C
Ptot max 370 W
Pakket TO-220
Polariteit N
QG (typ @10V) 150 nC
Qgd 43 nC
RDS (aan) (@10V) max 4,5 mΩ
RthJC max 0,4 K/W
Tj max 175 °C
VDS-max 100 V
VGS(th) min max 3 V 2 V 4 V
VGS-max 20 V

Discrete halfgeleiderproducten


Discrete halfgeleiderproducten omvatten individuele transistors, diodes en thyristors, evenals kleine reeksen daarvan, bestaande uit twee, drie, vier of een ander klein aantal soortgelijke apparaten binnen een enkel pakket.Ze worden meestal gebruikt voor het construeren van circuits met aanzienlijke spannings- of stroombelasting, of voor het realiseren van zeer basale circuitfuncties.


  • Vorig:
  • Volgende:

  • Schrijf hier uw bericht en stuur het naar ons