Merrill-chip Nieuw en origineel op voorraad elektronische componenten geïntegreerd circuit IC IRFB4110PBF
Productkenmerken
TYPE | BESCHRIJVING |
Categorie | Discrete halfgeleiderproducten |
Mfr | Infineon-technologieën |
Serie | HEXFET® |
Pakket | Buis |
product status | Actief |
FET-type | N-kanaal |
Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
Afvoer naar bronspanning (Vdss) | 100 V |
Stroom – Continue afvoer (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan) | 10V |
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm bij 75 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250 µA |
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
Vgs (max.) | ±20V |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds | 9620 pF @ 50 V |
FET-functie | - |
Vermogensdissipatie (max.) | 370W (Tc) |
Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montage type | Door gat |
Apparaatpakket van leverancier | TO-220AB |
Pakket / doos | TO-220-3 |
Basisproductnummer | IRFB4110 |
Documenten en media
BRONTYPE | KOPPELING |
Datasheets | IRFB4110PbF |
Andere gerelateerde documenten | IR-onderdeelnummeringssysteem |
Producttrainingsmodules | Hoogspanningsgeïntegreerde circuits (HVIC-poortdrivers) |
Het uitgelichte product | Robotica en automatisch geleide voertuigen (AGV) |
HTML-gegevensblad | IRFB4110PbF |
EDA-modellen | IRFB4110PBF van SnapEDA |
Simulatiemodellen | IRFB4110PBF Sabelmodel |
Milieu- en exportclassificaties
ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
RoHS-status | ROHS3-compatibel |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
REACH-status | BEREIK Onaangetast |
ECCN | OOR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Aanvullende bronnen
ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
Andere namen | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
Standaard pakketje | 50 |
De Strong IRFET™ power MOSFET-familie is geoptimaliseerd voor lage RDS(aan) en hoge stroomcapaciteit.De apparaten zijn ideaal voor laagfrequente toepassingen die prestaties en robuustheid vereisen.Het uitgebreide portfolio richt zich op een breed scala aan toepassingen, waaronder DC-motoren, batterijbeheersystemen, omvormers en DC-DC-converters.
Samenvatting van functies
Industriestandaard powerpakket met doorgaand gat
Hoge stroomsterkte
Productkwalificatie volgens JEDEC-standaard
Silicium geoptimaliseerd voor toepassingen die schakelen onder <100 kHz
Zachtere lichaamsdiode vergeleken met eerdere siliciumgeneratie
Brede portfolio beschikbaar
Voordelen
Standaard pin-out maakt drop-in vervanging mogelijk
Pakket voor hoge stroomsterkte
Industriestandaard kwalificatieniveau
Hoge prestaties bij laagfrequente toepassingen
Verhoogde vermogensdichtheid
Biedt ontwerpers flexibiliteit bij het selecteren van het meest optimale apparaat voor hun toepassing
Para-metrieken
Parametrie | IRFB4110 |
Budgetprijs €/1k | 1,99 |
ID (@25°C) max | 180 A |
Montage | THT |
Bedrijfstemperatuur min max | -55 °C 175 °C |
Ptot max | 370 W |
Pakket | TO-220 |
Polariteit | N |
QG (typ @10V) | 150 nC |
Qgd | 43 nC |
RDS (aan) (@10V) max | 4,5 mΩ |
RthJC max | 0,4 K/W |
Tj max | 175 °C |
VDS-max | 100 V |
VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
VGS-max | 20 V |
Discrete halfgeleiderproducten
Discrete halfgeleiderproducten omvatten individuele transistors, diodes en thyristors, evenals kleine reeksen daarvan, bestaande uit twee, drie, vier of een ander klein aantal soortgelijke apparaten binnen een enkel pakket.Ze worden meestal gebruikt voor het construeren van circuits met aanzienlijke spannings- of stroombelasting, of voor het realiseren van zeer basale circuitfuncties.