IPD068P03L3G nieuwe originele Elektronische Componenten IC chip MCU BOM service op voorraad IPD068P03L3G
Productkenmerken
TYPE | BESCHRIJVING |
Categorie | Discrete halfgeleiderproducten |
Mfr | Infineon-technologieën |
Serie | OptiMOS™ |
Pakket | Tape en spoel (TR) Snijband (CT) Digi-Reel® |
product status | Actief |
FET-type | P-kanaal |
Technologie | MOSFET (metaaloxide) |
Afvoer naar bronspanning (Vdss) | 30 V |
Stroom – Continue afvoer (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan) | 4,5V, 10V |
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm bij 70 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150 µA |
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (max.) | ±20V |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
FET-functie | - |
Vermogensdissipatie (max.) | 100W (Tc) |
Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montage type | Opbouwmontage |
Apparaatpakket van leverancier | PG-TO252-3 |
Pakket / doos | TO-252-3, DPak (2 kabels + lipje), SC-63 |
Basisproductnummer | IPD068 |
Documenten en media
BRONTYPE | KOPPELING |
Datasheets | IPD068P03L3 G |
Andere gerelateerde documenten | Onderdeelnummergids |
Het uitgelichte product | Gegevensverwerkingssystemen |
HTML-gegevensblad | IPD068P03L3 G |
EDA-modellen | IPD068P03L3GATMA1 door Ultra Bibliothecaris |
Milieu- en exportclassificaties
ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
RoHS-status | ROHS3-compatibel |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
REACH-status | BEREIK Onaangetast |
ECCN | OOR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Aanvullende bronnen
ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
Andere namen | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Standaard pakketje | 2.500 |
Transistor
Een transistor is eenhalfgeleider apparaatgewend omversterkenofschakelaarelektrische signalen enstroom.De transistor is een van de basisbouwstenen van het moderneelektronica.[1]Het bestaat uithalfgeleider materiaal, meestal met minstens drieterminalsvoor aansluiting op een elektronisch circuit.ASpanningofhuidigtoegepast op één paar terminals van de transistor, regelt de stroom door een ander paar terminals.Omdat het gestuurde (uitgangs)vermogen hoger kan zijn dan het sturende (ingangs)vermogen, kan een transistor een signaal versterken.Sommige transistors zijn individueel verpakt, maar er zitten er nog veel meer in ingebedgeïntegreerde schakelingen.
Oostenrijks-Hongaars natuurkundige Julius Edgar Lilienfeldstelde het concept van a voorveldeffecttransistorin 1926, maar het was destijds nog niet mogelijk om daadwerkelijk een werkend apparaat te bouwen.[2]Het eerste werkende apparaat dat werd gebouwd, was eenpuntcontacttransistoruitgevonden in 1947 door Amerikaanse natuurkundigenJohannes BardeenEnWalter Brattaintijdens het werken onderWilliam ShockleybijBell Labs.De drie deelden de 1956Nobelprijs voor natuurkundevoor hun prestatie.[3]Het meest gebruikte type transistor is demetaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor(MOSFET), uitgevonden doorMohammed AtallaEnDawon Kahngbij Bell Labs in 1959.[4][5][6]Transistors zorgden voor een revolutie op het gebied van de elektronica en maakten de weg vrij voor kleiner en goedkoperradio's,rekenmachines, Encomputers, onder andere.
De meeste transistors zijn gemaakt van zeer zuiver materiaalsilicium, en sommige vangermanium, maar soms worden bepaalde andere halfgeleidermaterialen gebruikt.Een transistor kan slechts één soort ladingsdrager hebben, in een veldeffecttransistor, of kan twee soorten ladingsdragers hebben.bipolaire junctie-transistorapparaten.Vergeleken met devacuümbuisTransistoren zijn over het algemeen kleiner en hebben minder stroom nodig om te werken.Bepaalde vacuümbuizen hebben voordelen ten opzichte van transistors bij zeer hoge bedrijfsfrequenties of hoge bedrijfsspanningen.Veel soorten transistors worden door meerdere fabrikanten volgens gestandaardiseerde specificaties gemaakt.