IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC-chip Nieuwe elektronische component

korte beschrijving:

Stuur een e-mail naar ons Datumblad downloaden

Product detail

Productlabels

IPD042P03L3 G
P-kanaalverbeteringsmodus Veldeffecttransistor (FET), -30 V, D-PAK
De zeer innovatieve Opti MOS™-families van Infineon omvatten p-channel power MOSFET's.Deze producten voldoen consequent aan de hoogste kwaliteits- en prestatie-eisen in belangrijke specificaties voor het ontwerp van energiesystemen, zoals weerstand in de staat en 'figure of merit'-kenmerken.

Samenvatting van functies
Verbeteringsmodus
Logisch niveau
Lawine gewaardeerd
Snel schakelen
Dv/dt-geclassificeerd
Pb-vrije loodplating
RoHS-conform, halogeenvrij
Gekwalificeerd volgens AEC Q101
Potentiële toepassingen
Energiebeheerfuncties
Motorcontrole
Ingebouwde lader
DC-DC
Klant
Vertalers op logisch niveau
Power-MOSFET-poortdrivers
Overige schakeltoepassingen

Specificaties

Productkenmerk	Attribuutwaarde
Fabrikant:	Infineon
Product categorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montagestijl:	SMD/SMT
Pakket/doos:	TO-252-3
Transistorpolariteit:	P-kanaal
Aantal kanalen:	1 kanaal
Vds – Doorslagspanning afvoerbron:	30 V
Id – Continue afvoerstroom:	70 EEN
Rds Aan – Weerstand afvoerbron:	3,5 mOhm
Vgs – Gate-source-spanning:	- 20V, +20V
Vgs th – Poortbrondrempelspanning:	2 V
Qg – Poortkosten:	175 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd – Vermogensdissipatie:	150 W
Kanaalmodus:	Verbetering
Handelsnaam:	OptiMOS
Verpakking:	Haspel
Verpakking:	Snijband
Verpakking:	MuisReel
Merk:	Infineon-technologieën
Configuratie:	Enkel
Herfst tijd:	22 ns
Voorwaartse transconductantie – Min:	65 S
Hoogte:	2,3 mm
Lengte:	6,5 mm
Product type:	MOSFET
Stijgtijd:	167 ns
Serie:	OptiMOS P3
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	2500
Subcategorie:	MOSFET's
Transistortype:	1 P-kanaal
Typische uitschakelvertragingstijd:	89 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	21 ns
Breedte:	6,22 mm
Onderdeel # aliassen:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Gewichtseenheid:	0,011640 oz